Name: Silicon Power DDR4 DIMM 16GB SP016GBLFU266B02/F02 PC4-21300, 2666MHz
Brand: SILICON POWER
SKU: SP016GBLFU266B02

Главная

Компьютерное оборудование

Комплектующие для ПК

Оперативная память

Память DDR4 4Gb, 8Gb, 16Gb, 32Gb

Silicon Power DDR4 DIMM 16GB SP016GBLFU266B02/F02 PC4-21300, 2666MHz

Артикул:SP016GBLFU266B02
Код товара:627890600

масса(кг):0.06

Количество чипов на модуле:-

Габариты (мм):-

rusName:[Модуль памяти] Silicon Power DDR4 DIMM 16GB SP016GBLFU266B02/F02 PC4-21300, 2666MHz

Расширенная операционная температура (Tcase):85 °C

сайт производителя:http://www.silicon-power.com//web/us/

Потребление энергии:-

Линейка:-

Пропускная способность (МБ/с):21300

Производитель:SILICON POWER

Все характеристики

Под заказ (запрашивайте)

3 820 ₽0 ₽

Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!

008f79c016c27eff441f7e5bef44fc12

Оперативная память SP016GBLFU266B02 от компании Silicon Power

масса(кг)

0.06

Количество чипов на модуле

Габариты (мм)

rusName

[Модуль памяти] Silicon Power DDR4 DIMM 16GB SP016GBLFU266B02/F02 PC4-21300, 2666MHz

Расширенная операционная температура (Tcase)

85 °C

сайт производителя

http://www.silicon-power.com//web/us/

Потребление энергии

Линейка

Пропускная способность (МБ/с)

21300

Производитель

SILICON POWER

Вес (грамм)

Количество модулей в комплекте (шт)

гарантия

3 года

ширина(см)

Высота (мм)

31.25

Поддержка ECC

Нет

Поддержка водяного охлаждения

Нет

CAS Latency (CL)

Тип модуля

DIMM

Радиатор

Нет

Низкопрофильная

Нет

Количество контактов

288

Подсветка

Нет

Производитель

Silicon Power

длина(см)

Row Precharge Delay (tRP)

Дополнительная информация

нет

описание

Оперативная память SP016GBLFU266B02 от компании Silicon Power

Модель

SP016GBLFU266B02

Объем одного модуля (ГБ)

manufacturerCountry

Тайвань (китай)

название

Silicon Power DDR4 DIMM 16GB SP016GBLFU266B02/F02 PC4-21300, 2666MHz

Напряжение (В)

1.2

RAS to CAS Delay (tRCD)

GTIN

04713436123309

высота(см)

Тайминги

19-19-19

Тип оборудования

Оперативная память

gtdNumber

10005030/200123/В000057/3

Чип

Частота (MHz)

DDR4 - 2666

Поддержка Reg

Нет

Activate to Precharge Delay (tRAS)

Нормальная операционная температура (Tcase)

75 °C

Общий объем памяти (ГБ)